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Conference Introduction

会议简介

当今世界，正经历一场以智能化和信息化为核心的深刻变革，半导体科学技术无疑是这场变革的引擎与基石。第十四届半导体器件与加工工艺论坛将于2026年10月21-23日在苏州国际博览中心举办。论坛将精准地聚焦于 “光电声磁多模态半导体材料与芯片集成技术” 这一前沿主题，紧扣多模态融合感知与处理的发展关键。多模态材料的开发，是突破单一物理量局限、实现信息泛在获取的源头活水；多模态器件的架构，是打通光、电、声、磁协同转换与调控的核心载体；而芯片集成技术，更是打破传统信号链壁垒，构建“感-存-算-通”一体化智能系统的必由之路。

会议拟邀请来自高校、研究所及企业的行业顶尖专家学者，聚焦光电声磁多模态半导体材料研发、芯片异构集成、器件工艺优化等核心方向，分享前沿技术成果与落地应用经验，深度解读多模态半导体技术创新痛点与产业化难点，围绕先进芯片集成工艺、多模态器件创新应用开展系统化授课与深度研讨，助力从业者夯实专业基础、把握行业前沿发展趋势，预计参会观众150人。

Conference Organizers

会议组织

主办单位

    • 中国科学院人才与人事局

承办单位

    • 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

协办单位

    • 苏州纳米科技发展有限公司
    • 上海材料与制造大型仪器区域中心
    • 江苏集萃中科纳米科技有限公司

Main Topics

主要议题

本次会议的讨论主题范围包含但不限于：

2026 Agenda Overview

2026年议程总览

时间： 10月21日 下午
地点： 苏州国际博览中心A108
主持人: 曾中明
主持人：张宝顺
主持人：林文魁
时间： 10月22日 上午
地点： 苏州国际博览中心A108
主持人：曾中明
主持人：郑东兴
时间： 10月22日 下午
地点： 苏州国际博览中心A108
主持人：张晓东
主持人：孙天玉
时间： 10月23日 上午
地点： 苏州工业园区若水路398号
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
张宝顺
（ 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员）
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
储涛
（ 浙江大学教授）
报告将结合SOI和TFLN光电子集成芯片领域的最新动向，重点介绍本团队近来针对多种光电子芯片集成瓶颈技术研究的最新突破，系统介绍包括TFLN高速波长可调激光器、高速、高线性度SOI调制器和高效率、近零漂移TFLN调制器、偏振无关集成光子芯片及波分解复用器、超大规模、超大消光比SOI电光开关、高速、大功率锗硅探测器、SOI集成光子器件后工艺无损修调技术等近全系列光电子集成器件及制造技术的研究成果和应用展望。
浙江大学求是讲席教授，微电子集成系统研究所所长，国家特聘专家。曾任日本NEC公司中央研究所主任、主任研究员，日本国家产业技术综合研究所（AIST）主任研究员、主管。2011年回国后任中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院大学讲座教授、央企客座首席科学家。2017年加入浙江大学信息与电子工程学院。自2003年起从事硅光器件和制备工艺研究，发表论文百余篇，授权中外专利50余项。
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
施跃春
（ 甬江实验室研究员）
本报告介绍当前面向高速光互连应用的连续波（CW）DFB高功率激光器以及阵列的研究背景，当前典型的技术指标。介绍该类型激光器在多量子阱等外延结构、以及光波导模场控制、光栅谐振、多波长精准控制、腔内损耗等方面基本设计原理与方法、制备方法。同时，介绍本团队近年在DFB高功率激光器以及阵列方面的研究进展，并给出未来技术发展趋势。
研究员，甬江实验室，国家级高层次青年人才。研究兴趣主要集中在面向超大容量的光通信与光计算的光子集成芯片面向光子感知的光子芯片与系统。主持国家重点研发计划专项、国家自然科学基金面上，以及省级重点项目等。近年来在光电信息领域国际重要学术期刊Optica、IEEE等发表SCI检索论文120余篇，授权或申请专利 30余项，其中1项专利被收录为江苏省百件优质专利名录。第一作者编著应用光学专业教材2部被电子工业出版社评为“优秀作译者与精品教材，获华信杯教材资源“优胜奖”，入选省级规划教材。
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
李清江
（ 国防科技大学教授）
后摩尔时代，人工智能技术对高能效算力的需求爆发式增长。发展以信息器件为核心、感算/存算一体为特征的新型类脑计算芯片，成为最具潜力的解决路径之一。本汇报重点围绕仿生视觉信号直接处理前沿热点，介绍团队近期在基于忆阻器的模拟域神经形态处理器件、感内与近感计算架构、动态目标感知系统、生物信号处理等方面的研究和应用进展。上述研究成果充分验证了模拟域感存算一体技术路径在突破传统架构能效瓶颈方面的核心优势，能够实现高时敏动态目标的低延迟精准感知与生物信号的实时高效监测，为后摩尔时代智能感知与边缘计算提供了兼具高能效、低时延与强泛化能力的创新解决方案。
李清江，主要从事智能信息器件研究，国家级青年人才计划入选者，牵头承担某专项重点项目、国自科重点项目、国家重点研发课题等项目8项。面向高时敏目标检测处理需求，创新设计了忆阻类脑计算芯片、相变全光计算芯片等新架构计算芯片，峰值算力、计算能效达到同期国际一流水平，成功在某航天工程图像处理中得到应用验证。在Nature Comms、Adv. Mater.等领域一流刊物上发表SCI论文100余篇，授权发明专利20项，获湖南省自然科学二等奖1项，享受国务院特殊津贴。
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
李龙
（ 西安电子科技大学教授）
未来信息技术的发展对高速无线通信和高效能量传输提出日益增长的需求。无线信息与能量协同传输（SWIPT）作为一种有前景的解决方案应运而生，使设备在接收数据的同时实现能量收集。电磁超材料和超表面是由亚波长单元构成、具有可调控电磁特性的人工结构，为应对这些挑战开辟了新途径。本报告提出“信息与能量协同超材料与超表面”（IECM）的概念，将先进的超表面设计与智能控制机制相结合，实现信息与能量的高效协同传输。我们简述了该领域的最新进展，重点介绍了在架构设计、自适应控制以及多功能集成方面的关键创新。IECM的潜在应用涵盖下一代（6G）通信系统和高能效物联网网络，为信息与能量的深度融合提供了广阔的发展前景。
李龙，西安电子科技大学教授，国家级领军人才，教育部高速电路设计与电磁兼容重点实验室主任，主要从事电磁场与微波技术领域的科研工作，研究方向包括电磁超材料/超表面、天线与微波集成器件、无线能量传输与收集技术，已在国内外期刊Nature Communication、Advanced Materials、IEEE汇刊和中国科学等发表论文200余篇，拥有50多项中国发明专利，美国专利2项。曾获ISAP2008最佳论文奖、2015年IEEE APS Raj Mittra旅行资助高级研究员奖、2016陕西青年科技奖，2019获得陕西省杰出青年基金，2021年入选教育部长江学者特聘教授，并获日本学术振兴会（JSPS）国际奖学金。担任中国电子学会微波分会副主任委员、中国通信学会智能超表面专委会副主任委员，IEEE西安分会MTT分会的副主席，APCAP2017技术程序委员会联合主席，以及AWPT2019和CMW2025大会共同主席。IEEE天线与传播快报（AWPL）副编辑、应用计算电磁学会（ACES）期刊副主编，以及《信息与智能学报》期刊副主编。IEEE高级会员、IET会士、IAAM会士和Vebleo会士。
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
刘子玉
（ 复旦大学研究员）
随着AI算力集群对带宽密度与能效的要求持续攀升，传统可插拔光模块在功耗、带宽和集成度上逐渐逼近瓶颈，光电共封装（CPO）成为突破电互连限制的关键路径。本报告聚焦面向CPO的先进封装技术，分析光电异质集成对高密度互连、热管理与多物理场协同设计提出的核心挑战，探讨低温键合、硅通孔、再布线等关键工艺在光电融合场景下的适配与优化方向，并展望先进封装技术在下一代光电共封装系统中的演进趋势与应用前景。
刘子玉，复旦大学微电子学院青年研究员、博士生导师，现任学院副院长，国家级青年人才入选者。她本科毕业于吉林大学，博士毕业于清华大学，曾在香港城市大学从事博士后研究，2018年起任教于复旦大学。她长期专注于三维异质异构集成与先进封装技术研究，在低温快速键合、硅通孔及多物理场耦合仿真等方向取得系列成果，发表论文90余篇、申请发明专利31项，并主持国家自然科学基金及多项企业合作项目，曾获复旦大学“三八红旗手”等荣誉。
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
王玮
（ 北京大学教授）
本报告围绕算力需求激增背景下先进封装技术的重要性，聚焦于nTSV（纳米硅通孔）这一关键互连结构，系统梳理其工艺开发与可靠性验证。首先分析高性能计算、AI芯片等应用对高带宽、低延迟封装的迫切需求，阐明nTSV在三维集成中的核心价值。继而深入探究nTSV的刻蚀、沉积、填充等关键工艺难点，并针对电学性能及热力可靠性进行系统评估。最后总结当前研究进展，展望nTSV在异构集成、超大规模封装中的优化方向与应用前景。
王玮，北京大学博雅特聘教授，长江学者特聘教授、国家卓越青年科学基金获得者，微米/纳米加工技术国家级科技创新团队学术带头人。现任北京大学集成电路学院副院长、微米纳米加工技术全国重点实验室主任。目前担任微米纳米技术学会副秘书长、国家集成电路标准委员会委员（MEMS工作组组长）、特种元器件标准委员会委员（微系统专项组组长），Microfluidics and Nanofluidics副主编、Microsystems & Nanoengineering等期刊编委，IEEE MEMS、Transducers、ICEPT、CSTIC、EDTM等领域系列重要国际会议技术委员会委员。长期从事微米纳米加工技术，特别是基于硅通孔（TSV）的三维集成与芯粒集成前沿技术研究，以及微纳流控技术研究。发表领域重要期刊和国际会议论文200余篇，授权、申请发明专利及软件著作权50余项，包括美国授权专利2项；获辽宁省科技进步一等奖、中电科科技进步三等奖、日内瓦发明展特别嘉许金奖等奖励，受邀在包括IEEE Sensors等20余个国际会议上作邀请报告。
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
徐建明
（ 中山大学教授）
MEMS/MOEMS 微光/机电系统是光电融合智能微系统的核心。本报告重点介绍中山大学徐建明教授团队围绕 MEMS、MOEMS 开展的研究工作，重点阐述 MEMS 光开关、MOEMS 超表面光场调控等核心器件的设计与微纳加工实现方案；解析可动微结构与MOEMS异质异构集成等关键技术；介绍配套 MEMS 传感器低噪声调理电路芯片设计，以及器件‑电路协同的端侧微系统集成方案；剖析器件工艺、封装耦合、多物理场耦合带来的技术瓶颈，展望面向高速光互联、智能感知场景下 MEMS/MOEMS 芯片的技术路线与产业化前景。
徐建明，深圳市鹏城孔雀人才，中山大学 “百人计划” 领军人才，集成电路学院副院长、教授、博导，智能微系统集成 (MEMS) 省教育厅重点实验室主任，异质异构集成与智能微系统研究所学科带头人。本科、直博毕业于清华大学电子工程系，师从罗毅院士。长期从事光电融合、MEMS/MOEMS 智能微系统、异质异构集成、高精度感知芯片与智能系统研究。牵头 / 核心参与十余项国家级重大重点课题，曾担任主任设计师、主任工艺师，相关技术获部级科技进步奖。兼任中国光学工程学会信息光电子专委会副秘书长等学术职务。作为团队负责人，带领课题组聚焦 MEMS/MOEMS 超表面光场调控、光开关等核心光电器件机理与方案研发；同时布局 MEMS/MOEMS 传感器专用调理电路、边缘端感知系统研发，面向智能感知、具身智能和医工融合推进器件-电路-系统全链条技术攻关与产学研转化。
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
张林兴
（ 北京科技大学教授）
低尺寸铁电薄膜是高密度信息存储与功能逻辑器件的关键功能核心，但其发展长期受制于极化调控机制不明、性能单一及临界尺寸效应显著等瓶颈。该报告将阐述通过发展化学晶格应变调控与合成策略，设计新型铁电薄膜结构，实现磁光电特性的精准调控。提出“相界面应变”策略，设计超四方钛酸铅薄膜，实现巨极化铁电薄膜；利用局域化学压力途径，优化低成本化学凝胶法，构建低维类四方层状结构，实现超薄铁电薄膜；发展大面积自支撑薄膜电辅助剥离法，开发出兼具可翻转铁电光伏、光信号增强以及各向异性铁磁等的多功能电子信息薄膜。
张林兴，北京科技大学，研究员/博导，国家级高层次领军人才。主要从事新型信息铁电薄膜及无机化学合成，发表SCI学术论文80余篇，以第一/通讯作者在Science（2篇）、Nat. Commun.、Sci. Adv.、JACS、AM.等期刊发表成果。申请国家发明专利6项，主持和参与国家级等项目12项。入选国自然青A、青年拔尖人才计划、国家重点研发计划青年科学家、中国科协“青年人才托举工程”、教育部“全国高校黄大年式教师团队”成员；获中国化学会青年化学奖、小米青年学者、鼎新青年科学家奖、中国新锐科技人物卓越影响奖、研究生优秀指导教师等。担任PNSMI、化学学报、IJMMM 等期刊的青年编委，兼任JSPS HOPE Fellow、全国材料与器件科学家智库膜材料专家委员会委员等。
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
李鹏
（ 电子科技大学教授）
近年来在中心非对称体系，以及存在PT联合对称性保持的体系中所发现的由量子几何(quantum geometry)诱导的高阶非线性量子输运行为，在基础物理以及高频整流电子器件应用方面具有巨大的潜力而备受关注。我们在没有磁性且具有中心对称性的单晶中，证明了二阶非线性电学响应也被证明可由拓扑边缘态激发和调制，从而突破了传统上受晶格对称性约束的理解框架。我们发现，仅电子态的不对称性就足以在电学非线性中产生显著的振幅与变化。我们通过高阶非线性输运的对称性约束响应所表现出的独特各向异性，可在空间上将其贡献与体态区分开来。借助电学非线性对对称约束的高度敏感性，结合二阶与三阶电学非线性，可以作为一种对电子相变敏感的新型探测手段，且该相变过程与传统结构相变解耦。这一方法为研究其他新颖且尚未解决的电子态及其演化提供了极具前景的路径，我们的工作为设计高效电子器件（包括整流器与混频器）提供了创新路径。
李鹏，教授，博士生导师，四川省青年人才计划。本硕博毕业于天津大学，曾在天津大学物理系、沙特阿卜杜拉国王科技大学、加拿大滑铁卢大学量子计算中心等单位进行研究。目前就职于电子科技大学集成电路学院，目前主持科技部纳米专项重点研发、国家自然科学基金面上项目等，主持省部级以上项目十余项。研究方向量子光电探测、量子信息传感，量子信息存储等。目前论文发表超过100余篇，以第一作者或通讯作者在Nature communications，Advanced Materials，Nano Letters，JACS，ACS Nano，Advanced Functional Materials，Physical Review B等期刊上发表40余篇，包括高被引用文章2篇。
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
轩伟鹏
（ 杭州电子科大学教授）
针对可穿戴医疗、便携式诊疗和微型健康设备对小型化、低噪声、低功耗及高效散热的需求，本文研究压电MEMS微泵/微风扇在医疗系统中的应用。通过压电驱动膜片振动，结合声学谐振、流固耦合及微流体整流机制，实现液体输运、气路调控和芯片及器件散热。重点分析无阀合成射流结构与高背压阀泵结构的工作机理及性能特点，并探讨其在血压检测、微流体给药、呼吸辅助、医疗气路控制、便携式设备散热及可穿戴电子设备热管理中的应用潜力。压电MEMS微泵/微风扇具有结构紧凑、运行安静、响应快速和易于集成等优势，可为微型医疗设备及散热系统的发展提供技术支撑
轩伟鹏，杭州电子科技大学，电子信息学院，教授，博导。主要从事压电MEMS器件及其应用研究，包括无线无源传感，声波滤波器芯片，压电MEMS微泵/风扇等；近年主持和课题主持国家自然科学重点基金/青年基金，军科委173基金，国家重点研发计划，浙江省重点研发计划等国家级、省部级项目多项；第一/通讯作者发表SCI论文近百篇，Google Scholar引用4500余次，包括Nature Communications 3篇, Microsystem & Nanoengineering等TOP期刊论文，授权发明专利90余项；担任Sensors, Polymers等多个国际期刊的特刊编辑，参与编制多个国家标准
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
黄宣棋
（ 中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员）
面向6G通信对高频、高性能射频前端器件的迫切需求，本报告围绕高性能氮化铝射频体声波滤波器的材料制备、器件机理与工艺展开系统介绍，重点阐述大尺寸掺钪氮化铝薄膜生长、集成工艺、滤波器件设计与制造等方面取得的阶段性进展，展示从材料生长、器件结构设计到芯片验证的一体化研究体系，为下一代射频前端高频滤波器及先进射频芯片技术的发展提供了理论支撑和关键技术验证。
黄宣棋，现任中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员，入选中科院率先行动“百人计划”B类。2015年获复旦大学学士学位，2020年获美国亚利桑那州立大学（ASU）电子工程系博士学位，获2019年度国家优秀自费留学生奖学金‌。博士毕业后加入海思技术有限公司负责研发射频滤波器件及芯片。2024年加入中科院上海微系统所，主要研究方向为宽禁带材料与射频器件。相关研究成果已发表研究论文60余篇，以（共同）第一及通讯作者身份发表期刊论文10余篇，累计被引用2500余次，已申请并获授权多项国内外专利。
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
房玉龙
（ 中国电子科技集团公司第十三研究所研究员）
超高频电子学广泛应用于泛在连接、多维感知等领域。随着射频（RF）应用向40 GHz以上频段不断拓展，化合物半导体凭借高电子迁移率、宽禁带、高热导率和高线性度等优势，已成为高频功率放大的核心选择。本报告系统综述了面向超高频应用的化合物半导体材料技术近期进展，重点聚焦GaAs、GaN和InP三种材料体系在外延生长与结构设计方面的研究进展。在GaAs PHEMT方面，通过沟道工程将室温电子迁移率提升至9,170 cm²/V·s，接近InP水平，展现出W波段应用潜力。在GaN HEMT方面，采用强极化超薄AlGaN势垒技术有效抑制短沟道效应，推动器件工作频率向更高频段迈进。在InP HEMT方面，通过前驱体优化解决MOCVD外延界面问题，支撑太赫兹波段应用。上述成果共同为6G通信、太赫兹探测和毫米波雷达等前沿领域提供了关键材料基础。
房玉龙博士，研究员、硕士生导师。自参加工作以来，长期深耕碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物半导体基础材料领域。带领团队在射频电子、光电子、电力电子及传感器材料等多个方向取得多项关键技术突破。
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
郑东兴
（ 中国科学院苏州纳米所研究员）
随着人工智能与大数据快速发展，信息存储面临功耗、速度与集成密度等挑战。磁存储具有非易失、低功耗、高耐久等优势，是未来高性能存储的重要方向。本报告将从磁存储原理与技术优势出发，介绍利用自旋流操控磁矩实现信息写入的基本原理，重点展示我们在新型自旋流材料、磁对称性与界面调控、零磁场磁矩翻转及低临界电流器件等方面的研究进展，并介绍轨道流等新型角动量来源，展望低功耗、高稳定磁存储器件的发展前景。
郑东兴，研究员，博士生导师，国家海外高层次青年人才。本硕博就读于天津大学，毕业后在天津大学物理系、阿卜杜拉国王科技大学从事研究工作。2026年1月加入中科院苏州纳米所纳米加工平台，任研究员。长期从事低维功能薄膜与强自旋-轨道耦合材料体系的前沿领域研究，致力于通过原子尺度的精准调控，揭示和操控新型物态，探索其在未来信息器件中的应用。已发表SCI论文100余篇，包括Science、Nat. Nanotechnol.、Matter、Nat. Commun.、Adv. Mater.、Adv. Func. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano等国际著名期刊。曾任天津市真空学会理事兼副秘书长。主持国家自然科学基金、天津市自然科学基金等项目。
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
张照先
（ 爱发科（苏州）技术研究开发有限公司研究员）
本发表主要介绍了爱发科集团面向光电领域的应用与拓展。在近年的光电产业中，AR/VR 设备在工业、教育、文旅等等场景里加速渗透。相比于玻璃，SiC被当作下一代AR/VR材料。目前，爱发科集团对于光波导的刻蚀工艺已经有所突破，针对于SiC倾斜光栅的加工以及量产方案，目前在加速开发以及推进中。除了AR/VR之外，面对光电的smart cut薄膜智能切割技术的相关工艺，爱发科集团也在积极探索中。
张照先，爱发科（苏州）技术研究开发有限公司研究员。2024年毕业于日本名古屋工业大学应用物理系，留学期间主攻无机材料的应用与研发，同年加入爱发科集团。目前作为爱发科集团离子注入工艺研发团队成员，致力于离子注入工艺的研发与应用扩展；作为集团Smart Cut 技术与工艺开发项目负责人，致力于薄膜智能切割技术的开发；参与面向12吋IGBT背面离子注入装备工艺开发/碳化硅高温沟道注入工艺开发项目；未来将重点攻关面向光电领域工艺开发，助力光电子器件与先进封装产业实现创新发展。
第十四届半导体器件与加工工艺论坛
演讲嘉宾
曾春红
（ 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所副研究员）
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