个人简介：于荣，清华大学教授。1996年本科毕业于浙江大学材料系，2002年博士毕业于中国科学院金属研究所，随后在美国劳伦斯伯克利国家实验室和英国剑桥大学从事博士后研究，2008年至今任教于清华大学材料学院。长期从事电子显微学与材料微观结构研究。发明了自适应传播因子叠层成像、局域轨道叠层成像、局域轨道三维重构等方法，在原子尺度研究材料的晶体结构与缺陷、电子结构与磁结构，并开展稀土永磁材料研究。发表文章多篇，授权发明专利和软件著作权多项。 

摘要：半导体器件的尺寸越来越小，构型日益复杂，给微观结构表征的空间分辨率提出了新的挑战。与此同时，基于大数据的计算电子显微学迅速发展，为解决半导体器件的结构分析难题带来了新的机遇。其中最具代表性的是电子叠层成像和电子层析成像。最近，局域轨道叠层成像将显微成像的信息极限推进到了14 pm，多切片局域轨道层析成像将原子尺度三维重构推进到了百万原子级，有望直接实现半导体器件的三维原子结构的精确分析。

       个人简介：失效分析经理：有超过15年FA工作经验，聚焦在EFA和PFA领域；资深应用专家：纳米探针测试应用支持 经理：EFA商务拓展及应用支持：负责EFA产品的市场拓展及推广，售前及售后的技术支持，应用培训及应用开发。

       摘要：此报告主要聚焦在半导体失效分析领域，介绍失效分析方法的原理及应用，通过对失效分析流程（从电性失效定位到物性验证）的梳理，针对失效分析工作中常见的问题，结合实际的案例分享，指出分析关键因素，从而帮助提高失效分析的成功率。在半导体领域，赛默飞世尔科技整合了完整的从EFA到PFA的失效分析解决方案。在这个报告中，也将会重点结合设备的性能、分析方法的限制以及应用的经验，助力失效分析成功率的提高。

个人简介：

新加坡国立大学Bachelor of Technology

从事半导体失效分析工作已有25年经验

曾担任赛灵思新加坡失效分析经理, 对晶圆和封装级失效分析方面有丰富的经验

摘要: 

随着半导体器件和晶体管特性的不断缩小，失效分析识别缺陷变得越来越具有挑战性。较小的器件、高度封装的互连、堆叠的模具和复杂的3D封装为失效分析定位和隔离缺陷并确定故障的根本原因带来了非常大的挑战。

传统的故障定位和隔离方法，如光发射显微镜(PEM)和光束诱导电阻变化(OBIRCH)，在定位精确的缺陷区域和失效层方面存在局限性。对于硅芯片可测试设计(DFT)结构或电路中的短路和开路故障，只能依赖常规逐层去层处理和电子显微镜(SEM)检查来找出缺陷。

纳米探针是一种先进的故障隔离系统，可以精确地定位和表征纳米级别的电气故障。纳米探针提供了探测单个晶体管和互连结构的手段；采用EBIC、EBAC、EBIRCH等多种故障定位方法进行精确、无损伤、高分辨率的电子显微镜纳米探测。

个人简介：冯林博士，爱发科费恩斯（南京）仪器有限公司应用工程师。于2020年在中国科学技术大学国家同步辐射实验室获得博士学位。2022年加入爱发科费恩斯（南京）仪器有限公司，在PHI南京表面分析实验室负责表面分析测试，以及XPS分析技术应用培训，在XPS、UPS（紫外光电子能谱）、AES（俄歇电子能谱）等多种表面分析技术的应用方面拥有丰富的经验。

摘要：表面分析技术已被广泛应用于诸多科学研究以及高科技产业中。特别是微区XPS结合AES，在应对特征尺寸在微米/纳米级别的微小特征和结构复杂的材料/器件的失效分析上，可实现对微区特征的精准定位和可靠的分析。本报告将从空间分辨和深度分辨多个维度出发，介绍表面分析技术（XPS和AES）的最新进展，以及在多学科领域中的综合应用，包括研究材料表面微区特征组分和化学态的空间分布、研究膜层组分的深度分布以及材料/器件的失效分析等。

个人简介：顾凯臣博士是毅博科技咨询公司香港办公室的高级工程师，专注于阐明电子材料的材料-结构-功能关系。他拥有普林斯顿大学化学工程博士学位，研究重点是材料科学。

顾博士研究过多种不同类型的材料，并且在各种表征技术方面拥有丰富的经验，包括扫描电子显微镜/能量色散X射线光谱（SEM/EDS）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、凝胶渗透色谱（SEC）、热重分析（TGA）和差示扫描量热法（DSC）。他经常应用这些表征技术来解决涉及半导体、电子封装、显示器、用户界面和电子组件的问题。自加入毅博以来，顾博士一直与消费电子行业的客户合作，处理各种实际故障，提供关键的见解和解决方案。

摘要：在快速发展的电子领域，确保产品的可靠性和使用寿命至关重要。材料科学提供了一系列在不同长度尺度上进行实验的技术，这些技术对于电子产品的失效分析非常宝贵。本次演讲将探讨如何利用原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）和光学显微镜（OM）等方法，在纳米级、微米级和中尺度上提供形态和结构缺陷的详细图像，这些缺陷最终可能影响样品的宏观性能。在特定的尺度上，可以应用如X射线计算机断层扫描（CT）等无损技术和聚焦离子束（FIB）等破坏性技术来定位和表征损伤特征。通过整合这些技术，我们可以找出失效的根本原因，提升电子产品的可靠性和性能，推动创新和消费者满意度。演讲中还将通过案例研究展示这些技术在实际场景中的应用。

个人简介：1998年毕业于北京大学微电子专业，曾在青岛海信任液晶模组研发部长、显示研发技术总监多年,曾主持开发中国首台LED背光液晶电视和中国首台量子点电视。荣获2020年度“IEC1906奖”。

摘要：分析半导体第三方分析检测服务机构评价体系的要素和调查的结果，提出在Labless模式的思路指导下建立评价标准体系、技术标准体系的思路。

个人简介：

■职位:

部长代理, 日立高新技术株式会社全球营业企划部

■教育:

 毕业于芝浦工业大学，电子工程专业

■工作经历:

2006-2023: 东芝纳米分析株式会社

工作内容: 负责半导体物性分析

成绩: 在启动公司的纳米探针系统业务中起关键作用

2024-现在: 日立高新技术株式会社

工作内容: 负责纳米探针系统的市场开发推广工作

摘要：

日立先进纳米器件特性分析系统NP8000的开发聚焦在加强我们的两项关键技术，即更高倍率下极小区域内下针测试和电子束吸收电流(EBAC)观测。它可以在极低的加速电压下进行探测，以抑制电子束照射引起的器件特性波动，并且可以进行大电流观察，从而有效地捕获缺陷位置的信号。此外，通过改进放大器以捕获以前无法捕获的失效模式的作用信号，进一步增强了偏压型EBAC (DI-EBAC)的性能。

个人简介：曹潇潇，赛默飞世尔公司市场及资深业务拓展经理。2007年毕业于合肥工业大学材料学院，获得学士学位；于2007-2011年在上海大学材料研究所师从我国著名的核材料专家周邦新院士，获得硕士研究生学位。作为主要负责人，参与了中国国内首台能量过滤透射电镜、三维原子探针、X射线显微镜等先进设备的调试和应用开发。特别是气氛和液态原位电镜，以及电子束敏感样品的低剂量成像，推动了电子显微镜在化工、半导体等工业领域的广泛使用。

摘要：本报告深入探讨了透射电镜在集成电路研发和良率提升方面的重要性。在集成电路研发中，透射电镜能够以高分辨率对集成电路的微观结构进行细致观察，为设计优化提供关键依据。它可以清晰地呈现材料的晶体结构、缺陷分布以及纳米尺度的特征，帮助研发人员深入了解集成电路的物理特性。在提升良率方面，透射电镜能够精准检测出潜在的缺陷和问题，如杂质、位错等，使工程师能够及时采取措施进行修正。通过对集成电路进行微观层面的分析，透射电镜为提高集成电路的性能、可靠性和良率提供了强有力的技术支持。

个人简介：曹春杰，卡尔蔡司（上海）管理有限公司， X射线显微镜 技术专家。在蔡司公司专职从事X射线显微镜成像技术12年，精通X射线显微镜在高端工业检测和科研领域的应用。为国内外数十家知名电子半导体企业提供失效分析检测解决方案和技术支持，通过实验帮助科研人员使用X射线显微镜在Nature、Science、PNAS、Advance Science、等国际知名学术期刊发表论文50余篇。

摘要：本次报告内容将包括如下三个方面：

（1）半导体芯片和先进封装失效分析的检测方法进展

（2）纳米探针技术（nanoprobing）在芯片电性失效分析的应用

（3）X射线显微镜在先进封装失效分析等领域的应用

报告将结合半导体芯片和先进封装的发展趋势，讲解失效分析仪器及分析方法的进展，主要展开讨论纳米探针技术和X射线显微镜。通过对X射线显微镜成像原理介绍，分析该技术适用于失效分析的原因。展示不同类型半导体样品的成像案例以及基于X射线显微镜和FIB-SEM联用的失效分析解决方案。力图通过本次分享为电子半导体行业同仁提供失效分析的方法和思路。