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Conference introduction

会议简介

随着半导体制程逼近物理极限，单纯依赖摩尔定律的微缩路径已无法满足AI、5G/6G通信及高性能计算对算力的指数级需求。异质集成技术通过融合化合物半导体材料、多工艺节点芯片及先进封装方案，成为突破“功耗墙”、“内存墙”的核心路径。然而，产业链仍面临界面可靠性、散热瓶颈及装备国产化率低三大“卡脖子”难题。

为协同产学研攻克材料-装备-应用生态断点，推动国产替代与技术标准建设， 构建面向下一代光电、功率与射频器件的产业闭环。由中国国际科技促进会半导 体产业发展分会协同国家第三代半导体技术创新中心(苏州)、中国科学院上海微 系统与信息技术研究所以及《半导体视界》Semiconductor Horizons 国际期刊联合举办的“2025半导体异质集成与先进封装技术论坛”于2025年10月22-23日在江苏苏州国际博览中心召开，本会议以“跨界集成·界面革命”为主题，旨在协同产学研攻克材料-装备-应用生态断点，推动国产替代与技术标准建设，构建面向下一代光电、功率与射频器件的产业闭环,我们诚挚地邀请您出席。

参会咨询：韦老师 15501145830；报名请扫二维码

议程总览：

conference organizers

会议组织

指导单位

    • 中国国际科技促进会半导体产业发展分会

主办单位

    • 半导体先进技术创新与应用大会组委会
    • 国家第三代半导体创新中心（苏州）
    • 中科院上海微系统与信息技术研究所

协办单位

    • 苏州纳米科技发展有限公司

承办单位

    • 赛米垦拓（北京）科技有限公司

主要议题

2025 Agenda Overview

2025年议程总览

时间： 10月22日下午
地点： 苏州国际博览中心A馆A304-306会议室
时间： 10月23日上午
地点： 苏州国际博览中心A馆A304-306会议室
时间： 10月23日下午
地点： 苏州国际博览中心A馆A304-306会议室

欧欣
（ 中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员）
演讲摘要:异质集成可以突破单一半导体能带结构和物理特性的限制，已成为信息器件技术发展的重要趋势, 一方面可以制造频谱更宽阔、功能更丰富、性能更优异的微电子和光电子器件，另一方面可以实现分立器件的单芯片集成，推动电子系统向小型化、集成化方向发展。 但高质量异质集成材料制备及异质界面对器件的多场调控还面临诸多关键科学问题。本报告介绍课题组在新型异质集成XOI材料及器件方面的研究进展，通过建立异质材料制备技术体系，为智能时代高功率电子器件、高速光子器件和高频、大带宽射频声学器件提供异质集成材料平台和器件方案。
演讲嘉宾简历：欧欣，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，集成电路材料全国重点实验室二级研究员、博士生导师。国家科技创新领军人才、中国青年科技奖获得者。在硅基SOI材料技术的基础上面向5G声、光、电核心芯片对异质集成材料的重要需求，发展“万能离子刀”异质集成XOI材料与器件技术，成功开发出多种异质晶圆制备技术并应用于射频、光电和功率芯片。

梁剑波
（ 国家第三代半导体技术创新中心（苏州）首席科学家）
演讲摘要:随着半导体技术进入3nm以下节点，摩尔定律面临失效，“功耗墙”“内存墙”全面逼近。异质集成以材料、结构与封装的多维创新，为AI、5G/6G与高性能计算提供全新路径——通过将SiC、GaN、金刚石等宽禁带材料与Chiplet/3D-IC架构深度耦合，实现性能、能效与封装密度的跨越式提升。预计至2025年，先进封装市场将首次超过传统封装，AI芯片中72.3%将依赖异质集成实现跃迁。然而，界面可靠性、热管理瓶颈及关键装备国产化不足成为制约产业链升级的核心障碍。本报告将围绕“界面革命”，分享在常温键合、界面工程及高导热基底上的最新突破，探讨构建材料—装备—标准协同的国产生态体系，为下一代光电、功率与射频器件提供可持续的发展路径。
演讲嘉宾简历：梁剑波，现任江苏第三代半导体研究院/国家第三代半导体技术创新中心（苏州）异质集成先进技术研发中心主任，苏州晶和半导体科技有限公司董事长兼技术总监，并兼任大阪公立大学特任研究员、博士生导师。2009年与2012年分别获得日本名古屋工业大学硕士和博士学位，之后在大阪市立大学电力电子实验室从事博士后研究，2015年起留校任教，2017年曾赴英国布里斯托大学合作研究。 长期专注于第一至第四代半导体材料（金刚石、Si、GaAs、GaN、SiC、Ga₂O₃等）的异质集成与常温直接键合技术研究，开创性地实现了金刚石与多种半导体材料在室温下的高强度、低热阻结合，解决了宽禁带与超宽禁带半导体器件散热和集成的关键难题。他主持和参与包括日本学术振兴会（JSPS）、新能源产业技术综合开发机构（NEDO）、日本科学技术振兴机构（JST）等资助的12项科研项目。在 Advanced Materials、Nature Communications、Small 等期刊发表论文150余篇，申请专利12项，出版专著2部。 在产业化方面，他推动12英寸常温键合装备研发与量产，建立了金刚石基GaN晶圆、3D集成装备及宽禁带器件的产业化路线。其成果已应用于半导体CMOS图像传感器和功率器件。目前正致力于4英寸及8英寸金刚石基GaN晶圆研发与产业化，为下一代高功率、高频率器件与先进封装提供支撑。

陈伟
（ 西交利物浦大学芯片学院院长）
演讲摘要:在这一报告中异质集成在材料和应用方面的挑战问题及可能的战略进行探讨。主要涉及如下的问题： 1. 材料兼容性 挑战：不同材料的热膨胀系数、化学性质和电气特性差异可能导致在制造和使用过程中产生应力和失效。可能战略包括：材料选择：选择热膨胀系数相近的材料，减少因温度变化引起的应力。界面工程：通过改性材料表面或使用中间层材料来改善不同材料之间的兼容性。模拟与测试：使用计算机模拟技术预测不同材料组合的行为，并进行实验验证，以优化材料选择。 2. 界面问题 挑战：异质材料之间的界面可能会影响电流传导、热传导和机械性能，导致性能下降。 可能战略：界面优化：开发新型界面材料或涂层，以提高界面的电导率和热导率。微结构设计：通过设计微观结构（如纳米级结构）来增强界面的性能。表面处理：采用化学或物理方法对材料表面进行处理，以改善界面结合力。 3. 热管理 -挑战：不同材料的热导率差异可能导致局部过热，影响系统的稳定性和可靠性。可能战略：热界面材料：使用高导热的热界面材料（TIM）来提高热传导效率。散热设计 在设计阶段考虑散热通道和散热器的布局，以优化热管理。主动冷却技术：引入主动冷却系统（如液冷或风冷）以有效管理热量。 4. 成本的挑战：异质集成的材料和制造工艺可能会增加整体成本，如何在性能和成本之间找到平衡是一个重要考虑。可能战略：规模化生产：通过规模化生产降低单位成本，同时保持高性能。材料回收与再利用：开发材料回收技术，降低原材料成本。设计优化：通过优化设计减少材料使用量和制造复杂性，从而降低成本。 5. 可靠性和耐久性的挑战：在不同环境条件下，异质集成的系统可能面临不同的可靠性挑战，确保长期稳定性是一个重要目标。可能战略：加速老化测试：进行加速老化测试，评估材料和系统在极端条件下的性能。故障预测与监测：引入传感器和监测技术，实时监测系统状态，提前预警潜在故障。设计冗余：在设计中考虑冗余机制，以提高系统的容错能力和可靠性。 通过以上分析，可以看出，异质集成在材料和应用方面的挑战是多方面的，需要综合考虑材料、工艺、设计和成本等因素，采用多种策略来应对这些挑战。
演讲嘉宾简历：陈伟博士是美国发明科学院院士，英国皇家化学学会会士，西交利物浦大学芯片学院院长和教授，入选《全球前2%顶尖科学家榜单2024》“年度科学影响力”榜单和“终身科学影响力”榜单。他本科毕业于吉林大学地学院，硕士毕业于中南大学地球物理学院，博士毕业于北京大学化学与分子工程学院。曾任中国科学院半导体材料开发实验室副主任、获中科院青年科学家奖。陈伟教授长期深耕前沿纳米技术研究，在Advanced Materials、PNAS和Signal Transduction and Targeted Therapy等国际知名学术期刊发表论文370余篇，论文引用超过2.2万次、H指数为76，拥有22项美国专利。曾获中科院青年科学家奖，当选英国皇家化学学会会士，获国际彭斯思奖（Pencis Award）-肿瘤学和癌症研究卓越成就奖；于2022年当选美国发明家科学院院士并2023年成为德州大学阿灵顿分校杰出学者学院的院士，这是该校授予教员最高的荣誉。 陈伟教授是纳米粒子自发光光动力疗法和微波诱导光动力疗法（PDT）的开拓者。他与学生发明了铜半胱胺（Copper Cysteamine）这个全新的材料， 这个材料有很多新的应用前景，对光动力和光催化可能会产生深刻的影响。陈伟教授还首先研究了纳米粒子热释光并观察到纳米粒子光激励发光，并证明了纳米粒子用于室温光学存储和数字成像的设想。他在国际上首次观察到 Eu2+ 在 ZnS 纳米晶的 d-f 跃迁发光，国际首创 CuS 纳米颗粒光热癌症治疗并研究出新型的闪烁材料 La0.2Y1.8O3。这些创新性的工作为科技的发展做出了很大的贡献。

王鑫华
（ 中国科学院微电子研究所研究员）
演讲嘉宾简历：王鑫华研究员是中国科学院微电子研究所高频高压中心主任、国家高层次青年拔尖人才，主要从事宽禁带半导体器件与异质集成研究。先后承担国家攻关工程、科技委重点项目、国家重大科研仪器研制项目等，组织团队研制国内首台集簇式GaN低界面态介质生长系统，在等离子体高温表面修饰技术、高温介质钝化技术、碳基异质融合技术等方面实现重要突破。获2022年度中国电子学会自然科学奖二等奖，2022年度中国仪器仪表学会技术发明二等奖。迄今发表论文80余篇，含IEDM，ACS AM&I，IEEE EDL，Carbon等。

黄火林
（ 大连理工大学教授）
演讲摘要:氮化镓功率器件以其高速、高耐压、高效率特点，在消费类电子、工业电源中得到重要应用。其中，双向开关器件能够简化电路拓扑、减小体积，并且进一步提高效率，因此在电动汽车、新能源发电等领域引起广泛关注。报告重点介绍氮化镓高压功率器件的技术现状、瓶颈、双向开关器件新结构方案以及典型可靠性测试技术与工艺加固技术。
演讲嘉宾简历：大连理工大学教授/博导、国家重点专项首席、辽宁省第三代半导体技术创新中心主任，从事高可靠性全电压等级氮化镓功率开关器件与传感器集成研究，承担国家科技部重点研发计划项目、国家基金委重点/面上等各级项目30余项，发表重要学术论文100余篇、国际国内发明专利70余项，获得国家级行业协会科技奖励2项、大连市技术发明一等奖1项。

杨冠华
（ 中国科学院微电子研究所副教授）
演讲摘要:低温制备的IGZO 2T0C DRAM可直接后道集成于硅基逻辑电路上方，有效提升存储密度与数据传输效率，具备成为新一代三维DRAM技术的潜力。然而，其仍面临读取不可靠和多值存储受限等挑战。本报告将重点探讨双栅IGZO 2T0C DRAM在提高读取可靠性及晶体管参数与存储单元性能折中优化方面的进展，进一步介绍双栅2T0C结构中的阈值电压补偿技术，以在不增加设计复杂性的前提下提升多值存储性能。最后，介绍后道集成的IGZO 2T0C DRAM对硅基电路性能的性能提升。
演讲嘉宾简历：杨冠华，中科院微电子所副研究员，国家级青年人才。主要研究方向为IGZO晶体管及DRAM应用。在IEDM/VLSI, EDL/TED, Nature Comm.等会议和期刊发表论文70余篇。主持国家重点研发计划青年科学家项目、国家自然科学基金青年基金等10余项科研项目。获VLSI最佳展示论文奖（2024）。

王宏兴
（ 西安交通大学教授）
演讲摘要:金刚石半导体在禁带宽度、击穿场强、迁移率、介电常数、热导率和器件因子方面远远好于其他半导体，被称为“终极半导体”，可用于开发高温、高频、高效、大功率、抗辐照电子器件，将大幅提电子系统综合性能指标、解决电子装备小型化、轻量化、可靠性和长寿命，以及环境适应性等诸多瓶颈问题，将带来一次半导体器件的深刻革命。因此，美国出台了《2022年芯片和科学法案》禁运金刚石材料等四项技术。为了实现金刚石半导体领域的创新性发展，打破禁运，需要建立一套系统化的金刚石超宽禁带半导体体系。本文系统性地介绍英寸级单晶金刚石外延生长、电子器件级高质量薄膜与掺杂、电子器件开发的国内外发展动态，同时介绍西安交通大学宽禁带半导体材料与器件的研究成就。
演讲嘉宾简历：王宏兴：西安交通大学教授，“国家特聘专家”，电子物理与器件教育部重点实验室主任。2001年在日本德岛大学获得博士学位。其后作为高级研究员加入日本Nitride Semiconductor 公司。2004-2008作为执行董事加入了日本Dialight Japan公司。2008-2013作为研发经理加入Seki technotron 公司。于2013年全职回国加入西安交通大学。主要研究领域为：半导体生长用MOCVD，MPCVD；III-V氮化物材料及发光器件；大尺寸单晶金刚石及电子器件；金刚石基GaN复合器件；量子光源及传感器。多项成果被采纳用于规模化生产。拥有120余项专利，发表文章160余篇。

邬苏东
（ 甬江实验室金刚石半导体中心研究员）
演讲摘要: 金刚石作为超宽禁带半导体的代表性材料之一，被誉为“终极半导体”，其超高的热导率同时也使其成为优异的导热材料之一，使用金刚石进行芯片散热封装是解决目前限制高频、高功率器件应用的最有效方法之一。本报告主要介绍金刚石在大尺寸单晶/多晶晶圆生长和封装应用中存在的主要问题以及本研究团队在该领域中取得的研究进展和未来规划。
演讲嘉宾简历：邬苏东，甬江实验室金刚石半导体应用研究团队研究员，2013年3月博士毕业于日本东京大学材料工程专业，等离子材料工学方向，先后在东京大学、中科院宁波材料所、南方科技大学担任特任研究员、助理研究员/副研究员和研究副教授职务，于2023年11月加入甬江实验室并建立了金刚石半导体应用研究团队，主要研究方向为大尺寸、高品质单晶和多晶金刚石晶圆的制备以及金刚石晶圆的高精密研磨抛光加工和键和封装应用等研究。主持及参与了工信部高水平专项、科技部重点研发计划（两项）、中科院装备项目（两期）、基金委、宁波市和深圳市的基金项目和国际合作项目等，发表SCI论文50余篇，申请发明专利30余项。

武玫
（ 西安电子科技大学副教授）
演讲摘要:氮化镓器件凭借高频、高功率特性，已成为新能源、通信等领域的核心组件，但其突出的热累积问题严重制约性能稳定性与使用寿命，高效散热因此成为突破技术瓶颈的关键。本报告聚焦氮化镓晶圆级热管理技术，针对散热痛点，从表面散热结构优化、电热协同设计、高导热衬底集成三大方向，提出系统性解决方案，为其向小型化、高集成化发展提供核心技术支撑，进而加速相关产业升级。
演讲嘉宾简历：武玫，西安电子科技大学集成电路学部副教授，主要从事氮化镓射频功率器件晶圆级热管理技术的研究与应用。在IEEE Electron Devices Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters等国际高水平期刊与会议上发表论文60余篇，获得国家发明专利30余项。担任IEEE Transactions on Electron Devices、ACS Applied Electronic Materials等国际知名期刊审稿人。主持国家自然科学基金青年项目、面上项目、国家部委重点基金等多项国家重大项目研究，并与国内顶尖企业持续开展产学研合作，研究成果突破了氮化镓射频功率器件的热输运机理、散热设计与高精度表征难题，研制的关键技术应用于多项国家重大工程，并向企业实现了技术转移与产业化，经济效益与社会效益显著。

王跃忠
（ 中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员）
演讲摘要: 航空航天、人工智能等等尖端科技的快速发展，对于高性能材料也提出了苛刻要求。金刚石材料具有优异的导热性能，是上述应用的重要考虑方案。以空天飞行器红外窗口应用为例，气动效应导致的成像模糊和结构失效，进而制约探测精度和结构可靠性，是其面临的共性问题，金刚石已成为解决上述瓶颈的重要考虑方案之一。以芯片散热应用为例，当芯片的温度美上升2°C，其可靠性将会下降10%，且55%的器件失效都是因为散热能力不足造成的。针对上述领域的迫切应用需求，急需开发大尺寸、高性能、低成本的金刚石膜。我们报道了4英寸级、厚度200µm内的薄膜的制备技术，并讨论了单炉5件4英寸金刚石膜的批量化制备工艺，开发了低成本的快速“自剥离”技术。材料具有优异的性能，根据不同厚度（1-200µm），样品的热导率为527‒1930 W·m-1·K-1，相关工作可为金刚石膜材料的低成本化应用提供参考。
演讲嘉宾简历：王跃忠，中国科学院宁波材料所研究员/博士生导师，中国科学院高层次人才计划、宁波市科技创新领军人才。面向航空航天、功率芯片封装应用等领域，主要从事光热功能金刚石及红外光学材料设计、关键技术研发及应用基础研究。2012年博士毕业于四川大学，2014‒2016年清华大学/航天三院联合培养博士后。2012‒2021年在航天某所工作，先后担任主管设计师、副主任设计师及主任设计师，承担多型关键材料技术攻关任务及预研工作。2021年，加入中国科学院宁波材料所。以负责人身份，负责国家重点研发计划重点专项（项目首席）、国家自然科学基金、JKW重点项目课题、XX配套项目、XX电子元器件及XX行动项目、天津市自然科学重点基金等10余项。担任中国国际科技促进会半导体产业发展分会专家委员会委员、中国机械工程学会工程陶瓷分会理事、中国机械工程学会金刚石及制品分会青工委员，在J. Adv. Ceram.、Diamond & Related Materials、Infrared Physics and Technology等期刊上发表论文60余篇，申请与授权发明专利20余项。

赵亮
（ 西安英特斯克半导体科技有限公司总经理）
演讲摘要:本次报告重点汇报我公司在MPCVD技术领域从“自动化”到“物联网化”，再进一步向“AI化”进展的清晰发展路径。我们研发的MPCVD设备已实现高度自动化，集成视觉控制系统、精密腔压控制（±0.005KPa）等模块，确保生产一致性。 在此基础上，生产装备已全面迈向物联网化​：我们构建了完整的软件控制与测量系统，支持对微波电源、流量计等关键部件进行远程监控与数据交互，应用生产画板、炉体自动弹出装置等，为实现科研数据采集和智能化生产奠定坚实基础。 目前，我们的主要金刚石产品包括重量45-80克拉的高品质金刚石毛坯、30×30mm、30×60mm尺寸的金刚石光学窗口片等，满足多元应用需求。我们正致力于将AI技术融入工艺优化，持续引领行业创新。
演讲嘉宾简历：本科就读于北京大学物理系、研究生毕业于北大光华学院； 曾任职中国建筑股份有限公司、东方园林股份公司、中信集团等上市公司高管； 职业资质国家注册经济师、企业法律顾问，在企业投融资管理条线深耕多年。 现任西安英特斯克半导体科技有限公司总经理，负责企业融资、公司重大投资项目等工作。

周岩
（ 南京师范大学副教授）
演讲摘要:宽禁带半导体（如GaN）是高性能芯片的热点材料，但其在高功率下自热严重，显著制约器件可靠性与寿命。金刚石散热性能优越但成本过高，而将GaN与低成本Si衬底集成则面临晶格与热膨胀系数失配的挑战。我们采用SAB技术，在室温下实现无缓冲层GaN/Si直接键合，界面应力显著降低。经适当热处理，界面结构、界面热阻与应力可调控，为实现高质量、低应力GaN/Si集成及兼容CMOS技术提供有效途径。此外，针对SOI器件散热难题，通过多种直接键合技术，发现SAB键合结合退火可同步实现Si/SiC界面的低热阻、低应力，为高功率器件实现优异热管理奠定基础。
演讲嘉宾简历：周岩，南京师范大学物理学院，研究员、副教授，博士毕业于英国布里斯托大学，研究方向主要集中于芯片热管理，宽禁带半导体（GaN、SiC、金刚石等）的热输运与电输运特性，和低维材料的热学、力学、声子物理性质，及这些材料在极端条件下的热学性质与声子特性。以第一或通讯作者在Nature子刊等高水平期刊发表SCI论文数十篇。

李力一
（ 东南大学教授）
演讲摘要:混合键合是当前先进封装的前沿工艺，通过利用内嵌式铜焊盘结构，可实现10微米以下芯片间互连节距，被广泛认为是未来实现芯粒高密度互连的有效技术路径。本报告将从W2W、D2W混合键合的芯粒集成应用场景、设备、工艺、材料以及可靠性进行深入探讨。
演讲嘉宾简历：李力一，东南大学集成电路学院青年首席教授、国家高层次人才青年学者。发表SCI论文30余篇，IEEE会议论文10余篇，以第一完成人获得美国专利授权一项。研究方向：集成电路互连和封装工艺、材料和可靠性分析、面向MEMS制造的微纳加工工艺。

伊艾伦
（ 中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员）
演讲摘要: 碳化硅（SiC）因其宽带隙、化学惰性及卓越的耐腐蚀性，已成为功率应用领域的重要候选材料。此外，SiC具备诸多适用于光子集成电路（PICs）的特性：其紫外至中红外的宽透明窗口、相对较高的二阶非线性系数（d33 = -13~-24 pm V-1）、三阶非线性系数（约10-6 cm2 GW-1），以及在通信波段约2.6的高折射率。这些优异的光学特性促使SiC近年来受到广泛研究关注。多种SiC微纳光子器件的成功研制，进一步凸显了其在下一代集成光子学中的巨大应用潜力。SiC的另一显著优势在于其可灵活引入各类“人工缺陷”。最新研究表明，通过构筑深能级光学活性缺陷，基于SiC的先进量子器件已被逐渐深入研究。结合其承载活性自旋缺陷的特殊能力、宽光学透明窗口、高折射率以及与CMOS工艺的兼容性，SiC有望在光子学领域迎来新一轮发展热潮，并成为光子集成电路中极具竞争力的材料平台。
演讲嘉宾简历：伊艾伦，中科院上海微系统所，副研究员。2021年于上海微系统所获博士学位，，致力于第三代半导体碳化硅薄膜材料与器件研究。近5年，以第一/通讯作者发表Nat. Commu.、Appl. Phys. Rev.、Light Sci. Appl.、Phys. Rev. Lett.等高水平论文20余篇，申请发明专利50余项，授权20余项。承担国自然面上、青年基金等国家、省部级项目。

张瓦利
（ 甬江实验室研究员）
演讲摘要:随着传统工艺微缩接近极限，面向AI、高速计算、5G/6G等应用的异质集成需求日益增长，2.5D/3D先进封装正成为集成电路演进的关键路径。混合键合（Hybrid Bonding）凭借无凸点、超小间距、高I/O密度等优势，已成为实现高带宽、低功耗芯片系统的核心互联技术，逐步取代传统微凸点热压键合方案。本报告将系统介绍混合键合技术在先进封装中的工艺流程与技术优势，重点分析介质层沉积、表面等离子体活化、高精度对准、预键合与退火等关键环节对最终键合良率和互联性能的影响，比较Wafer-to-Wafer与Die-to-Wafer工艺路径在实际应用中的挑战与适配场景。同时，报告将探讨高深宽比结构、电镀均匀性、CMP平坦度控制等核心技术瓶颈，并指出构建具备工艺、材料与设备协同能力的开放研发平台，是实现异质异构集成规模化量产的重要支撑。
演讲嘉宾简历：张瓦利，甬江实验室微纳器件制备平台研究员，浙江省创新人才，宁波市甬江人才。博士毕业于新加坡南洋理工大学，曾任职ASML光刻工程师，新加坡制造科技所薄膜制备研究中心研究员，飞利浦Lumileds研发部高级经理。2023年加入甬江实验室，任信息材料与微纳器件制备平台技术负责人。主要从事光电子器件、微电子器件的设计与制备以及半导体器件的2.5D/3D异构集成先进封装等领域的开发工作。任职国际薄膜学会执行委员会委员，并多次作为核心组委会成员，组织国际薄膜学术会议。发表国际期刊论文14余篇，出版1部学术论著章节，申请专利20余项，其中PCT专利5项。

王晨曦
（ 哈尔滨工业大学教授）
演讲摘要:晶圆键合在当前高性能芯片制造领域具有十分重要的战略地位。报告人根据不同种材料表面特性灵活设计并有针对性地开发出二元协同表面活化手段，实现了硅及非硅、第三代半导体、光学晶体等材料之间的异质键合，在低温(≤200℃)条件下形成超薄异质键合界面，并探索芯片无凸点低温混合键合(Hybrid bonding)技术，实现了Cu/SiO2键合及钴(Co)/SiO2键合。同时该键合方法成功应用于纳米/化学/生物芯片及超高灵敏中红外传感器的开发，为三维异质集成提供技术支撑。
演讲嘉宾简历：王晨曦，哈尔滨工业大学教授，博士生导师，国家级一流课程负责人，日本东京大学博士，研究方向为晶圆键合、异质异构芯片键合、三维集成与封装、医用新材料连接。曾获日本学术振兴会特别研究员资助，参与JST-CREST重大项目。回国后主持国家自然科学基金3项，承担省级及企业课题20余项，发表SCI/EI论文130余篇，获国际会议最佳论文奖等7次论文奖，授权发明专利16项，担任ICEPT技术委员会委员，IEEE高级会员，中国机械工程学会高级会员。曾获国家优秀自费留学生奖学金、东京大学工学院院长奖、黑龙江省自然科学一等奖等。教学方面，曾多次获省级及校级教学竞赛一等奖，主持教研项目4项，参编教材2部。

王亮
（ 上海钉点智能科技有限公司CEO）
演讲摘要:从流体力学及相关公式和工程实践的角度来剖析半导体企业洁净车间的空调箱系统节能方案。 空调箱风机节能不能靠简单的风机设备替换，而是通过在流体路径上多点优化、系统协同、智能管理来综合技术实现。 具体是：基于流体优化和滤阻消减方案后的各项参数（净化设备、动力设备、传感设备），实时通过网络层上传到平台层，在平台层完成数据处理和运算，实现综合节能的效果，客户可以通过本地控制端的工控屏和电脑端实现实时数据的查看、管理和控制。
演讲嘉宾简历：钉点智能科技有限公司 CEO 公司于2015年诞生于上海国际医学园区生物学实验室，由中科院分子生物学博士、美国国立卫生研究院、得州大学(UTHSCA)博士后张英豪和几位风险投资人联合创立。 公司聚焦创新净化系统技术，运用专业的流体动力技术和大数据平台算法，结合EMC全案服务平台，为客户提供一站式节能管理方案和服务。
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